Специалисты Аргоннской национальной лаборатории США успешно продолжают изучение скирмионов (микроскопических магнитных вихрей). Так называют устойчивые магнитные возмущения в различных материалах, которые в будущем могут прийти на замету памяти MRAM и записи на магнитной поверхности. Скирмионы, в отличие от намагниченного материала, гораздо сложнее разрушить, что резко повышает надежность записи.
Впервые основной принцип создания магнитных вихревых структур предсказал почти 60 лет назад Тони Скирми (британский физик), в честь которого их позднее и назвали. Такие устойчивые образования контролируемо можно создавать на поверхности магнитной пленки для дальнейшего считывания. По сравнению с обычной магнитной записью, новая технология может оказаться на несколько порядков энергоэффективнее. При этом для длительного хранения данных не требуется наличия постоянного питания, как в ОЗУ.
В настоящее время скирмионы еще слабо изучены, хотя специалисты уже разработали общий принцип работы такой ячейки памяти. В данный момент используется взаимодействие электронного микроскопа и технологии искусственного интеллекта. Программное обеспечение используется для распознавания отдельных скирмионов в слое исследуемого материала, который предварительно охлажден до очень низкой температуры. Опыты показали, что при понижении температуры увеличивается вероятность разрушения такой ячейки. При снижении до -168 градусов Цельсия скирмионы практически все исчезли, однако повторный нагрев до -50 градусов вернул магнитную структуру.
Ученые уверены, что данная особенность позволит в дальнейшем создать эффективную магнитную память, которая по своим характеристикам значительно превзойдет все современные наработки. Текущая тенденция позволяет спрогнозировать, что в ближайшем будущем для хранения данных будет расходоваться до 25% всей вырабатываемой энергии, что расточительно. Очевидна потребность в переходе на более энергоэффективные модули памяти. Новая технология сегодня пока является основным кандидатом на замену, хотя до реальных разработок еще далеко.